Hochrangiger Produkt Siliziumnitrid

Teilweise kristallisierte Siliziummosaikmikrostrukturen inSiliziumnitridFilme von LPCVD. Abhängig von den Wachstumsbedingungen und dem Verfahren reicht das Ausmaß der Struktur von Zehn bis Hunderten von Nanometern. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40 mm × 40 mm. Basierend auf den Ergebnissen dieser Studie wurde das kontrollierte Wachstum von SINX -Membranen mit fester Zugspannung durch LPCVD realisiert.

1.SiliziumnitridDünnfilme (sin _ x) wurden durch LPCVD-Technologie (niedriger Druck chemischer Dampfabscheidung) unter Verwendung von Silan und Ammoniak als Silizium- bzw. Stickstoffquellen und Stickstoff mit hoher Purity als Trägergas hergestellt. The growth kinetics of the SiN_x films were studied by ellipsometry, the properties of the SiN_x films were characterized by Fourier infrared spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, and the microscopic morphology of the SiN_x films was observed by atomic force microscopy. Unter den gleichen Bedingungen anderer Prozesse nimmt die Wachstumsrate der Sin _ x -Film monoton mit der Erhöhung des Arbeitsdrucks zu, und das Verhältnis (R) der Durchflussrate von Ammoniak zu Silan im Futtergas hat einen gegenteiligen Effekt auf die Wachstumsrate des Films. Mit zunehmender Reaktionstemperatur steigt die Abscheidungsrate allmählich an, erreicht maximal etwa 840 Grad und nimmt dann schnell ab. Wenn R2 verwendet wird, wird eine si-reiche Sünde _ x dünner Film (x1.33) erhalten. Wenn R4 verwendet wird, wird ein Sin _ X-Film mit nahezu stöchiometrischer (z≈1.33) erhalten.

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