Hochwertiges Material Siliziumnitrid

Unter entfernten Bedingungen kann Siliziumpulver im SHS -Prozess vollständig nitriert werden, um zu erzeugenSiliziumnitridund das Produkt hat einen hohen Stickstoffgehalt und einen niedrigen Sauerstoffgehalt, aber es ist Phase. In der Silicon Fume SHS -Reaktion muss eine angemessene Menge an Si _3 n _4 Saatgut hinzugefügt werden; Die Ausbreitungsgeschwindigkeit der SHS -Verbrennungswelle von Silizium nimmt mit zunehmender Stickstoffdruck und der Abnahme der Reaktantenfülldichte zu, ist jedoch unabhängig von der Reaktantenzusammensetzung und dem Probendurchmesser. Die Verbrennungswellentemperatur stieg mit zunehmender Stickstoffdruck und dem Anstieg des Probendurchmessers, der unabhängig von der Zusammensetzung von Reaktanten und der Fülldichte war.

1.SiliziumnitridDie Filme wurden unter Verwendung der PECVD -Technologie (Plasma Chemical Dampor Deposition) unter verschiedenen Abscheidungsbedingungen (Substrattemperaturbereich von 20 ~ 180 Grad und HF -Leistung von 10 ~ 30 W) hergestellt, und die Auswirkungen von Ablagerungsbedingungen auf die Eigenschaften und wasserdichten Eigenschaften von Siliziumnitridfilmen wurden untersucht. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass die Dichte, der Brechungsindex und das Si/N -Verhältnis von Siliziumnitridfilmen mit zunehmender Substratemperatur entsprechend zunehmen, während die Ablagerungsrate und der H -Gehalt entsprechend abnehmen. Mit zunehmender HF -Leistung nehmen die Abscheidungsrate, Dichte, der Brechungsindex und das Si/N -Verhältnis von Siliziumnitridfilmen entsprechend zu, während der H -Gehalt entsprechend abnimmt. Das Wasserdampfpermeationsexperiment zeigt, dass der abgelagerte Siliziumnitridfilm auch dann eine gute wasserdichte Leistung hat, selbst wenn die Substratemperatur auf 50 Grad reduziert wird. Experimentelle Ergebnisse zeigen, dass Siliziumnitridfilme mit niedrigem Temperatur effektiv auf die Verpackung von organischen Lichtemittiergeräten (OLEDs) angewendet werden können.

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