Siliziumkarbiepulver zum Mahlen des Polierens

Die Herstellung von Siliziumkarbid beinhaltet mehrere komplexe Prozesse. Eine der Hauptmethoden ist der Acheson -Prozess, der Ende des 19. Jahrhunderts entwickelt wurde. In diesem Prozess wird eine Mischung aus Kieselsand und Erdölkoke in einem elektrischen Widerstandsofen auf Temperaturen um 2000 - 2500 -Angrad erhitzt. Die hohe Temperatur führt zu einer chemischen Reaktion zwischen Siliziumdioxid im Sand und Kohlenstoff in der Koks, was zur Bildung von Siliziumcarbid führt. Der Acheson -Prozess erzeugt jedoch typischerweise Siliziumkarbid mit Verunreinigungen, was weitere Reinigungsschritte erfordert.

Moderne Fertigungstechniken konzentrieren sich auf die Erzeugung von hoher Reinheit und Kristall -Silizium -Carbid für Halbleiteranwendungen. Die chemische Dampfabscheidung (CVD) ist eine weit verbreitete Methode zum Anbau von SIC -Einzelkristallen mit hoher Qualität. In CVD wird eine Mischung aus flüchtigem Silizium und Kohlenstoff, die Vorläufer enthält, in einen hohen Temperaturreaktor eingeführt. Diese Vorläufer zersetzen und legen Silizium- und Kohlenstoffatome auf einem Samenkristall ab und wachsen allmählich einen großen, einkristallischen Boule. Der Wachstumsprozess muss genau kontrolliert werden, um die Qualität des Kristalls sicherzustellen, da alle Defekte die Leistung von SIC -basierten Geräten erheblich beeinflussen können. Nach dem Kristallwachstum werden die Boule in Scheiben geschnitten, poliert und in Wafer verarbeitet, die dann zur Herstellung verschiedener sic -basierter elektronischer und optoelektronischer Geräte verwendet werden.

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