Die Grundlagen des Siliziumkarbids
Siliziumcarbid (SIC), oft als Carborundum bezeichnet, ist eine Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff mit einer reichen Geschichte aus seiner Entdeckung im späten 19. Jahrhundert. Strukturell existiert SIC in zahlreichen Polytypen, die jeweils durch eine unterschiedliche Stapelsequenz von Silizium- und Kohlenstoffatomen gekennzeichnet sind. Diese strukturelle Vielfalt verleiht SIC mit einer Vielzahl physikalischer und chemischer Eigenschaften. Es hat einen extrem hohen Schmelzpunkt von mehr als 2700 Grad, was es sehr widerstandsfähig gegen den thermischen Abbau macht. Darüber hinaus bietet SIC eine bemerkenswerte Härte, die auf der MOHS -Skala in der Nähe von Diamond rangiert und es ideal für abrasive Anwendungen ist. Seine chemische Stabilität ist ebenfalls bemerkenswert; Es ist für die meisten Säuren und Alkalien inert und ermöglicht seine Verwendung in harten chemischen Umgebungen.
Aus elektronischer Sicht ist SIC ein breiter Bandgap -Halbleiter, ein Merkmal, das es von traditionellem Silizium unterscheidet. Mit dieser breiten Bandlücke können SIC -basierte Geräte bei höheren Temperaturen, höheren Spannungen und höheren Frequenzen im Vergleich zu Silizium -Gegenstücken arbeiten. Infolgedessen hat sich SIC als Schlüsselmaterial in der Halbleiterindustrie entwickelt, insbesondere für die Stromversorgung, wo es die Effizienz und Leistung von Geräten wie Kraftumwandler, Wechselrichtern und Elektrofahrzeugen erheblich verbessern kann. Die einzigartige Kombination aus mechanischen, thermischen und elektrischen Eigenschaften macht Siliziumkarbid zu einem Material von großer Bedeutung in der modernen Technologie und Industrie.
Siliziumkarbidbeschreibung
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Warenzeichen |
Zhenan |
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Produkt |
Siliziumkarbid |
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Reinheit |
88% 90% 98% |
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Form |
Grit und Pulver |
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HS -Code |
284920 |
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