Hochtemperatur-Synthesemethode zur Herstellung von Siliziumkarbid
Siliziumkarbidprozessfluss: Ultrahoch-hohe Temperaturumgebung: Erhitzen auf mehr als 2500 Grad über Plasma oder Bogen, um eine sofortige Reaktion zu erzielen. Schnelle Synthese: Die Reaktionszeit wird auf mehrere Stunden verkürzt und hochreines SIC wird direkt erzeugt.
Vorteile: Das Produkt hat eine hohe Reinheit (99,9%) und eine hervorragende Kristallstruktur.
Es gibt keine Zwischenprodukte, die für die Herstellung von Nano-Maßstäben geeignet sind. Nachteile: teure Ausrüstung und extrem hoher Energieverbrauch. Die Technologie ist schwierig und schwer in großem Maßstab anzuwenden. Anwendung: High-End-Felder wie Halbleiter und optische Beschichtungen. Andere Prozesse: Chemische Dampfabscheidung (CVD): Die Kosten für Dünnfilme oder Einzelkristall -SIC sind extrem hoch. Sol-Gel-Methode: Geeignet für kleine Chargen von Nano-Sic im Labor, und die Industrialisierung ist schwierig.
Siliziumkarbidparameter
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Warenzeichen |
Zhenan |
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Produkt |
Siliziumkarbid |
| Partikelgröße | Schleifmittel |
| Feuerfeste Größe | 0-1 mm 0-10 mm 0-100 mm |
wie man Ordnung aufgibt
A: Käufer Senden Sie Anfrage → Siliziumkohlenhydratangebot → Bestätigung Bestätigung → Käufer Vereinbaren Sie 30% Einzahlung → Produktion nach Erhalt der Einzahlung → strenge Inspektion während der Produktion → Käufer vereinbaren Saldo -Zahlung → Verpackung → Lieferung gemäß den Handelsbedingungen
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