Kosteneffizienz Schwarzes Siliziumkarbid

Kosteneffizienz Schwarzes Siliziumkarbid

Kosteneffizienz: Schwarzes Siliziumkarbid (SIC) wird aus Quarzsand und Kohlenstoff (anthrazitfarbener Kohlenteer oder Petrolkoks) in einem elektrischen Widerstandsofen bei hoher Temperatur hergestellt. Es zeichnet sich durch hohe Härte, hervorragende elektrische und Wärmeleitfähigkeit, geringe Wärmeausdehnung und hohe Abriebfestigkeit aus.
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Beschreibung

Siliziumkarbid: Ein Material mit außergewöhnlichen Eigenschaften

 

Siliziumkarbid weist eine große Vielfalt an Kristallstrukturen auf, die ihm einzigartige Eigenschaften verleihen. Wie bereits erwähnt, sind die beiden Hauptkristallstrukturen -SiC und -SiC. Die unterschiedlichen Stapelreihenfolgen der Kohlenstoff-Silizium-Schichten in diesen Strukturen führen zu Unterschieden in den physikalischen und chemischen Eigenschaften. Beispielsweise weist -SiC mit einer hexagonalen oder rhomboedrischen Struktur oft eine bessere Hochtemperaturstabilität auf, während -SiC mit einer kubischen Zinkblende-Struktur in bestimmten Anwendungen einige einzigartige elektrische Eigenschaften aufweisen kann. Zusätzlich zu den grundlegenden Kristallstrukturen existiert SiC auch in einer Vielzahl von Polytypen, die sein Eigenschaftsspektrum zusätzlich bereichern.

 

Die Herstellungsmethoden von Siliziumkarbid entwickeln sich ständig weiter. Neben der klassischen Kohlenstoffreduzierung durch Silica und der chemischen Gasphasenabscheidung entstehen einige neue Methoden. Beispielsweise kann die Methode der selbstausbreitenden Hochtemperatursynthese (SHS) SiC schnell synthetisieren. Bei dieser Methode wird eine Mischung aus Rohstoffen (z. B. Siliziumpulver und Kohlenstoffpulver) gezündet, und die durch die Reaktion selbst erzeugte exotherme Reaktion kann den Reaktionsprozess aufrechterhalten und SiC schnell und mit relativ hoher Effizienz synthetisieren. Eine weitere neue Methode ist die Sol-Gel-Methode. Durch die Verwendung siliziumhaltiger und kohlenstoffhaltiger Vorläufer zur Herstellung eines Sols und anschließender Prozesse wie Gelieren, Trocknen und Sintern kann SiC mit einer gleichmäßigeren Mikrostruktur erhalten werden, was für einige Hochpräzisionsanwendungen von Vorteil ist.

 

Siliziumkarbid Beschreibung

 

Warenzeichen

ZhenAn

Produkt

Siliziumkarbid

Reinheit

88% 90% 98%

Form

Grit und Pulver

HS-Code

284920

 

product-800-561

 

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